비 반전하는 하프 브리지 게이트 드라이버 IC EMI 60Hz UCC27714D

UCC27714를 위한 특징

• 독립적인 입력으로, 고전위측, 로우-측 구성
• 완전히 사용가능한 최고 600까지 Ｖ (HS 핀)
• 보동 채널은 부트 스트랩 작동의 설계를 했습니다
• VDD = 15 Ｖ에 있는 4-A 싱크 4-A 원천의 피크 출력 전기 성능
• 최고 수준 전달 지연 (125 나노 초 최대)
• 최고 수준 지연 매칭 (20 나노 초 최대)
• TTL과 CMOS 호환 가능 입력 논리
• 10 Ｖ에서 20 Ｖ의 VDD 편의 전원 범위
• 양쪽 채널을 위한 비스듬한 UVLO 보호
• 레일 투 레일 드라이브
• 부정적 전압 과도 하에 로버스트 동작
• 높은 드프 / dt 면역 (HS 핀)
• (버젼) 논리를 위한 헤어진 땅과 전압차를 유지하기 위한 역량과 드라이버 (COM)
• 선택적 실행 기능 (핀 4)
• 로우에서 개최된 출력 때 입력 플로팅
• VDD 핀 편의 전원 전압에 의해 제한된 입력과 인에이블 핀 전압 레벨
• 높고 낮전압 핀은 최대 크리페이지와 제거를 위해 분리되었습니다
• 입력과 인에이블 핀 위의 부 전압 취급 성능

UCC27714를 위한 기술

UCC27714는 드라이브파워 MOSFET 또는 IGBT를 목표로 삼는 4-A 소식통과 4-A 싱크 전류 역량과 함께 600-Vhigh 옆, 로우-측 게이트 드라이버입니다. 장치는 띄우기 공급과 함께 작동해서 설계되는 1 그라운드 참조 채널 (학습 조직)과 플코팅채널 (하나로) 이루어집니다. 장치는 -8 Ｖ에 작동 논리를 부 전압 어브업으로 유지하기 위해 능력으로 엑셀렌트로부스트네스와 잡음 면역성을 특징으로 합니다(VDD = 12 Ｖ에) HS 핀 위의 DC.

장치는 10 Ｖ에서부터 20 Ｖ까지 넓은 범위 편차 공급기 입력을 받아들이고, 선입견이 핀을 공급하는 둘다 VCC와 HB를 위한 우프로프로텍션을 제공합니다. UCC27714는 -40' Ｃ부터 125' Ｃ까지 작동하기 위해 안드라테드 SOIC-14 패키지에 이용할 수 있습니다.