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제품

Diodes Incorporated 개별 반도체 장치 1N5263B-T

Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T
Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T
기본 정보
브랜드 이름: Diodes Incorporated
모델 번호: 1N5263B-T
최소 주문 수량: 1 조각
배달 시간: 2~8 평일
지불 조건: T/T
최고의 가격 지금 연락
상표: 다이오드는 결합했습니다 자격증: /
모델: 1N5263B-T MOQ: 1 PC
가격: Negotiated 배달: 2~8 평일
지불: T/T
하이 라이트:

Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices

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Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T

다이오드 통합 1N5263B-T

 

원래의 다이오드 통합 제조사 모델 1N5263B-T
공급업체 주인 벤더 모델 11234142
유형 제너다이오드 로트 번호 --
패키지 수 -- 포장하다 --
제품 설명 다이오드 제너 56V 500MW DO35
명세서 숫자 값
전압 - 제너(공칭)(Vz) 261
용인 ±5%
전력 - 최대 500mW
임피던스(최대)(Zzt) 150옴
전류 - 역 누설 @ Vr 100nA @ 43V
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 1.1V @ 200mA
작동 온도 -65°C ~ 200°C
장착 유형 구멍을 통해
패키지/케이스 DO-204AH, DO-35, 축방향
공급자 장치 패키지 DO-35

태그:

H30R1602 이산 반도체 장치,

IRFB4310PBF,

IGBT 전력 이산 반도체 장치

연락처 세부 사항
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